A 4-91-GHz Traveling-Wave Amplifier in a Standard 0.12- m SOI CMOS Microprocessor Technology
A 4-91-GHz Traveling-Wave Amplifier in a Standard 0.12- m SOI CMOS Microprocessor Technology
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采用标准 0.12 m SOI CMOS 微处理器技术的 4-91 GHz 行波放大器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
L. Wagner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Plouchart;Jonghae Kim;N. Zamdmer;Liang;M. Sherony;Yue Tan;R. Groves;R. Trzcinski;M. Talbi;L. Wagner
本文介绍了采用 0.12 米 SOI CMOS 技术的五级和七级行波放大器 (TWA)。五级 TWA 的带通频率为 4-91 GHz，增益为 5 dB。七级 TWA 的带通频率为 5-86 GHz，增益为 9 dB。七级 TWA 的测量噪声系数为 18 GHz，输出 1 dB 压缩点和输出三阶截取点分别为 5.5 dB、10 dBm 和 15.5 dBm。在2.6 V电源电压下，五级和七级TWA的功耗分别为90和130 mW。五级和七级TWA的芯片占用面积分别小于0.82和1 mm。索引术语——宽带 CMOS 电路、CPW 传输线、高增益带宽积、SOI、行波导放大器。
This paper presents five-stage and seven-stage trav- eling-wave amplifiers (TWA) in a 0.12- m SOI CMOS technology. The five-stage TWA has a 4-91-GHz bandpass frequency with a gain of 5 dB. The seven-stage TWA has a 5-86-GHz bandpass fre- quency with a gain of 9 dB. The seven-stage TWA has a measured 18-GHz noise figure, output 1-dB compression point, and output third-order intercept point of 5.5 dB, 10 dBm, and 15.5 dBm, re- spectively. The power consumption is 90 and 130 mW for the five- stage and seven-stage TWA, respectively, at a voltage power supply of 2.6 V. The chips occupy an area of less than 0.82 and 1 mm for the five-stage and seven-stage TWA, respectively. Index Terms—Broadband CMOS circuit, CPW transmission line, high gain bandwidth product, SOI, traveling waveguide amplifier.