一种高效率E~(-1)/F类GaN HEMT射频功率放大器
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DOI：
10.14183/j.cnki.1005-6122.201904009
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
许高明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高凯仑;叶焱;谢晋雄;刘太君;许高明
