Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy
Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy
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使用 Operando 软 X 射线光电子纳米光谱法量化 GaN 晶体管的表面电子捕获
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Oshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Fukidome;K. Omika;Y. Tateno;T. Kouchi;T. Komatani;N. Nagamura;S. Konno;Y. Takahashi;M. Kotsugi;K. Horiba;M. Suemitsu;M. Oshima
