Comprehensive Methodology for the Statistic of SRAM Vmin
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DOI：
10.1109/tdmr.2015.2429792
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发表时间：
2015-05
影响因子：
2
通讯作者：
T. Pompl;R. Strasser;S. Drexl;M. Ostermayr
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Pompl;R. Strasser;S. Drexl;M. Ostermayr
在本文中，一个全面的统计方法的SRAM Vmin。提出了一种线性化统计分布的绘图方法，并开发了尺寸缩放和统计外推的方法。许多类比建立的统计框架随时间变化的介质击穿。
In this paper, a comprehensive methodology for the statistic of SRAM Vmin is presented. A plotting method for the linearization of the statistical distributions is proposed, and methodologies for size scaling and statistical extrapolations are developed. Many analogies to the established statistical framework for time-dependent dielectric breakdown are found.