(Invited) Assessment of Ge1-xSnx Alloys for Strained Ge CMOS Devices
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DOI：
10.1149/1.3487583
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发表时间：
2010-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Takeuchi;Y. Shimura;Tsuyoshi Nishimura;B. Vincent;G. Eneman;T. Clarysse;J. Demeulemeester;K. Temst;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax;R. Loo;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takeuchi;Y. Shimura;Tsuyoshi Nishimura;B. Vincent;G. Eneman;T. Clarysse;J. Demeulemeester;K. Temst;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax;R. Loo;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
S. Takeuchi， Y. Shimura， T. Nishimura， B. Vincent， G. Eneman， T. Clarysse， J. Demeulemeester， K. Temst， A. Vantomme， J. Dekoster， M. Caymax， R. Loo， O. Nakatsuka， A. Sakai，和S. Zaima工程研究生院，名古屋大学，千古区Furo-cho，名古屋464-8603，日本共价材料有限公司，东海口，Seirou-machi，北川原县，新泻957-0197，日本Imec， Kapeldreef 75, B-3001 Leuven，比利时大阪大学工程科学研究生院，日本大阪丰中町山町1-3号，560-8531
Strained Ge CMOS Devices S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan Covalent Materials Co., Ltd., Higashikou, Seirou-machi, Kitakanbara-gun, Niigata 957-0197, Japan Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium Instituut voor Kernen Stralingsfysica, Katholieke Universiteit Leuven, B-3001 Leuven, Belgium Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan