Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs

Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs
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评估 SiC MOSFET 中 BTI 效应的测量注意事项

DOI:
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发表时间:
2018
期刊:
Microelectronics and reliability
影响因子:
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通讯作者:
R. Green
R. Green
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
D. Habersat;A. Lelis;R. Green

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