Computer simulation study on the noise and millimeter wave properties of InP/GaInAs heterojunction double avalanche region IMPATT diode
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DOI：
10.1016/j.sse.2003.07.005
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发表时间：
2004-03
影响因子：
1.7
通讯作者：
J. K. Mishra;G. Dash;S. R. Pattanaik;I. P. Mishra
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. K. Mishra;G. Dash;S. R. Pattanaik;I. P. Mishra
