Low temperature silicon nitride deposited by Cat-CVD for deep sub- micron metal-oxide-semiconductor devices
Low temperature silicon nitride deposited by Cat-CVD for deep sub- micron metal-oxide-semiconductor devices
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采用 Cat-CVD 沉积的低温氮化硅，用于深亚微米金属氧化物半导体器件
DOI：
10.1016/s0040-6090(01)01281-0
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
R. Dusane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. B. Patil;A. Kumbhar;P. C. Waghmare;V. Rao;R. Dusane
