Direct Observation of Site Hopping of Individual Dopant Atoms in Si Crystal by Cs-corrected STEM
Direct Observation of Site Hopping of Individual Dopant Atoms in Si Crystal by Cs-corrected STEM
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通过 Cs 校正 STEM 直接观察硅晶体中单个掺杂原子的位点跳跃
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jun Yamasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yasuhiko Ishikawa;Kazumi Wada;Jun Yamasaki
