An analytical expression for base transit time in an exponentially doped base bipolar transistor

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DOI:
10.1016/0038-1101(95)00092-8
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发表时间:
1996
影响因子:
1.7
通讯作者:
M. M. Jahan-M.;A. Anwar
M. M. Jahan-M.;A. Anwar
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
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作者:
M. M. Jahan-M.;A. Anwar

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