Improved performance of InGaZnO thin-film transistors with Ta2O5/Al2O3 stack deposited using pulsed laser deposition
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DOI：
10.1016/j.cap.2013.12.006
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发表时间：
2014-03
影响因子：
2.4
通讯作者：
G. Geng;Guoxia Liu;F. Shan;A. Liu;Q. Zhang;W. J. Lee;B. Shin;H. Wu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Geng;Guoxia Liu;F. Shan;A. Liu;Q. Zhang;W. J. Lee;B. Shin;H. Wu
