光再構成ゲートアレイのホログラムメモリに対する不良耐性解析

光再構成ゲートアレイのホログラムメモリに対する不良耐性解析
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光可重构门阵列全息图存储器的容错分析

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
電子情報通信学会技術研究報告 vol.107,no.419
影响因子:
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通讯作者:
渡邊
渡邊
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
篠原;渡邊

文献摘要

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