Visualization of electrons and holes localized in the thin gate film of metal SiO_2-Si_3N_4-SiO_2 semiconductor type Flash memory using scanning nonlinear dielectric microscopy after weiting-erasing cycling
Visualization of electrons and holes localized in the thin gate film of metal SiO_2-Si_3N_4-SiO_2 semiconductor type Flash memory using scanning nonlinear dielectric microscopy after weiting-erasing cycling
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在微擦除循环后使用扫描非线性介电显微镜观察金属 SiO_2-Si_3N_4-SiO_2 半导体型闪存薄栅膜中电子和空穴的可视化
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koichiro Honda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Omae;Y.Kawakami;S.Fujita;Y.Narukawa;T.Mukai;宮崎誠一;Koichiro Honda
扫描非线性介电显微镜纳米级铁电畴测量的理论与实验研究
影响因子：
1.5
作者：
H. Odagawa;Yasuo Cho
通讯作者：
Yasuo Cho