4H-SiC(11-20)面（a面） MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価
4H-SiC(11-20)面（a面） MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価
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4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面缺陷的电子自旋共振光谱（ESR/EDMR）评估
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
梅田享英
中科院分区：
文献类型：
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作者：
近藤蓮;染谷満;渡部平司;梅田享英
