Terahertz emissons from InSb, InAs and InGaAs excited by femtosecond pulses at wavelengths of 1560, 1050, and 780 nm
Terahertz emissons from InSb, InAs and InGaAs excited by femtosecond pulses at wavelengths of 1560, 1050, and 780 nm
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由波长为 1560、1050 和 780 nm 的飞秒脉冲激发的 InSb、InAs 和 InGaAs 的太赫兹发射
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masato Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Suzuki;M.Tonouchi;K.Fujii;H.Ohtake;T.Hirosumi;Masato Suzuki;Masato Suzuki;Masato Suzuki;Masato Suzuki
