GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法
GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法
复制标题
位错缺陷是 GaN 器件的杀手锏以及如何减少它们
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
天野浩
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
田中敦之;宇佐美茂佳;福島颯太;安藤悠人;久志本真希;出来真斗, 新田州吾;本田善央;天野浩
