E.Tokumitsu, K.Okamoto, H.Ishiwara: "Low Boltage Operation of Nonvolatile Metal-Ferroeletric-Metal -Insulator-Semiconductor(MFMIS)-Field-Effect-Transistors(FETs) Using Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si Structures"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.40 part 1, No
E.Tokumitsu, K.Okamoto, H.Ishiwara: "Low Boltage Operation of Nonvolatile Metal-Ferroeletric-Metal -Insulator-Semiconductor(MFMIS)-Field-Effect-Transistors(FETs) Using Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si Structures"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.40 part 1, No
复制标题
E.Tokumitsu、K.Okamoto、H.Ishiwara：“使用 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/ 的非易失性金属-铁电-金属-绝缘体-半导体 (MFMIS)-场效应晶体管 (FET) 的低电压操作
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
