Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing
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复制标题
准分子激光退火缓冲液诱导 β-Ga2O3 薄膜室温外延
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Kaneko and M. Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Matsuda;D. Shiojiri;H. Uchida;K. Nakamura;N. Tsuchimine;S. Kaneko and M. Yoshimoto
