Photoluminescence of Cesium-Doped Sodium Iodide Films Irradiated by UV LED.
Photoluminescence of Cesium-Doped Sodium Iodide Films Irradiated by UV LED.
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DOI：
10.3390/nano13202747
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发表时间：
2023-10-11
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hsu JC
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu HY;Kuan YH;Yu G;Sun YS;Hsu JC
长期以来，碱金属卤化物一直被用作闪烁体，用作传感器和探测器。通常，在这些无机材料中添加少量的杂质来提高它们的发光效率。研究了热真空蒸发法制备的未掺杂碘化钠(NaI)和掺铯NaI(NaI：CS)薄膜的结构和发光性能。我们没有使用有毒元素铊(Tl)，而是在NaI中引入了铯掺杂。这是利用紫外光发光二极管的紫外光C(273 nm，4.54 eV)激发NaI：CS薄膜的首次研究。在3.05eV和4.32/3.955 eV处(对于熔融二氧化硅/B270衬底)有两个主峰，分别来自本征缺陷和/或激活剂激发态和本征自陷激子(STE)。总的来说，Cs掺杂和后退火工艺都提高了NaI薄膜的发光性能。
Alkali metal halides have long been used as scintillators for applications as sensors and detectors. Usually, a small amount of impurities are added to these inorganic materials to improve their luminescence efficiencies. We investigate the structures and luminescent properties of un-doped sodium iodide (NaI) and cesium-doped NaI (NaI:Cs) films deposited by thermal vacuum evaporation. Instead of using the toxic element thallium (Tl), we introduced cesium dopant into NaI. This is the first study for the NaI:Cs film excited by UV LED’s ultraviolet C (273 nm, 4.54 eV). The luminescence spectra show two main peaks at 3.05 and 4.32/3.955 eV (for fused silica/B270 substrate), originating from the intrinsic defects and/or activator excited states and the intrinsic self-trapped excitons (STEs), respectively. In general, both Cs-doping and post-annealing processes enhance the luminescence performance of NaI films.
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影响因子：
1.8
作者：
Bourret-Courchesne, E. D.;Bizarri, G. A.;Derenzo, S. E.
通讯作者：
Derenzo, S. E.
影响因子：
2.9
作者：
Davi，Fabrizio
通讯作者：
Davi，Fabrizio
DOI：
10.1016/j.nimb.2021.12.006
发表时间：
2022-01-10
影响因子：
1.3
作者：
Dilillo, Giuseppe;Zampa, Nicola;Vacchi, Andrea
通讯作者：
Vacchi, Andrea
影响因子：
1.6
作者：
Huynh Dinh Chuong;Nguyen Thi My Le;Hoang Duc Tam
通讯作者：
Hoang Duc Tam
DOI：
10.1016/j.nima.2021.165523
发表时间：
2021-06-17
影响因子：
1.4
作者：
Jansky, Jaroslav;Janda, Jiri;Cvachovec, Frantisek
通讯作者：
Cvachovec, Frantisek