Influence of electrons trapped at the interface states on Hall electron mobility in SiC/SiO2 inversion layers
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界面态俘获电子对SiC/SiO2反型层中霍尔电子迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ito;M. Horita;J. Suda;and T. Kimoto
