Investigation of the initial stages of GaN epitaxial growth on 6H-SiC (0001) at room temperature
Investigation of the initial stages of GaN epitaxial growth on 6H-SiC (0001) at room temperature
复制标题
室温下 6H-SiC (0001) 上 GaN 外延生长初始阶段的研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.H.Kim
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A.Kobayashi;M.H.Kim
