Störstellenreaktionen in den Randschichtbereichen von Si-Kristallen mit Zn- und Pt-Dotierung
Störstellenreaktionen in den Randschichtbereichen von Si-Kristallen mit Zn- und Pt-Dotierung
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Zn- 和 Pt-Dotierung 的 Si-Kristallen Randschichtbereichen 中的 Störstellenreaktionen
DOI：
10.1002/pssa.2211010122
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Lemke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Lemke
In den Randschichtbereichen von Zn-dotierten n- and p-Kristallen koonnen die storstellenreaktion Zn = (Zn−,Zn−)Ep3(RI) and Ep4 Zn(RII) mit Ep3 = Ev + 0,36 Ev and Ep4 = Ev + 0,27 Ev beobachtet werden。Mit Reaktionszeiten von etw100 s - 1 RI在bericht < 200°C和riicht = 400°C的nachweisbar。Der volstandige Reaktionskanal Zn Ep3 EP4 Zn mit zwei zusatzlichen Storstellen entspricht einem analogen Reaktionsablauf bei Ir-dotierten Kristallen。Beide Storstellenreaktionen konnen每一个Fall der Pt- storstellpt = （Pt++, Pt+, Pt−）模具反应（En2, En3） Pt(RII) ist nat = 300℃，En2 = Ec - 0,52 eV, En3 = Ec - 0,16 eV nachweisbar。化学反应动力学ⅲ：Zn（1,8）和Pt（1,5）。in Vergleich mit fruheren Ergebnissen height, das die Reaktionszeiten (ii) beden 5 - d- element wachsender Ordnungszahl ab-nehmen and beden 3 - d- element zunehmen。
In den Randschichtbereichen von Zn-dotierten n- und p-Kristallen koonnen die Storstellenreak-tionen Zn = (Zn−, Zn−) Ep3(RI) und Ep4 Zn(RII) mit Ep3 = Ev + 0,36 eV und Ep4 = Ev + 0,27 eV beobachtet werden. Mit Reaktionszeiten von etwa 100 s ist RI im Bereich T < 200 °C und RII nahe T = 400 °C nachweisbar. Der vollstandige Reaktionskanal Zn Ep3 EP4 Zn mit zwei zusatzlichen Storstellen entspricht einem analogen Reaktionsablauf bei Ir-dotierten Kristallen. Beide Storstellenreaktionen konnen auch im Fall der Pt-Storstelle Pt = (Pt++, Pt+, Pt−) beobachtet werden. Die Reaktion (En2, En3) Pt(RII) ist nahe T = 300 °C mit En2 = Ec – 0,52 eV und En3 = Ec – 0,16 eV nachweisbar. Die Aktivierungsenergien der Reaktion RII liegen fur Zn bei 1,8 und fur Pt bei 1,5 eV. Ein Vergleich mit fruheren Ergebnissen zeigt, das die Reaktionszeiten (RII) bei den 5 d-Elementen mit wachsender Ordnungszahl ab-nehmen und bei den 3 d-Elementen zunehmen.
In the surface regions of Zn-doped n- and p-type crystals the defect reactions Zn = (Zn−, Zn−) Ep3(RI) und Ep4 Zn(RII) with Ep3 = Ev + 0,36 eV and Ep4 Ev + 0,27 eV are observed. For reaction times of about 100 s the reaction RI is detected in the region T < 200 °C and RII near T = 400 °C. The complete reaction channel Zn Ep3 EP4 Zn is in agreement with the defect reactions for Ir-doped crystals. The reactions RI and RII are also observed for the impurity center Pt = (Pt++, Pt+, Pt−). The reaction (En2, En3) Pt(RII) is detected near T = 300 °C with En2 = Ec – 0,52 eV and En3 = Ec – 0,16 eV. The reaction energies (RII) lie for Zn at 1.8 and for Pt at 1.5 eV. A comparison with earlier results shows, that the reaction times decrease for the 5 d-elements and increase for the 3 d-elements with increasing atomic number.