Characteristics of Thick m-Plane InGaN Films Grown on ZnO Substrates Using Room Temperature Epitaxial Buffer Layers
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使用室温外延缓冲层在 ZnO 衬底上生长 m 面 InGaN 厚膜的特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Fujioka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Shimomoto;A.Kobayashi;K.Ueno;J.Ohta;M.Oshima;H.Fujioka
