Optical Properties of AIGaN doped with Rare-Earth Impurity for CMOS Compatible Optoelectronic Integration
Optical Properties of AIGaN doped with Rare-Earth Impurity for CMOS Compatible Optoelectronic Integration
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用于CMOS兼容光电集成的掺杂稀土杂质的AlGaN的光学特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Wakahara;H. Okada;J.-H. Park;F. Oikawa;A. Yoshida
