Atomic Diffusion Bonding of Wafers with Oxide Underlayers using Thin Hf Films for Optical Applications
Atomic Diffusion Bonding of Wafers with Oxide Underlayers using Thin Hf Films for Optical Applications
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光学应用中使用 Hf 薄膜对具有氧化物底层的晶圆进行原子扩散键合
DOI：
10.1109/ltb-3d53950.2021.9598448
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Uomoto and T. Shimatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Yonezawa;M. Uomoto and T. Shimatsu
使用Hf膜的具有氧化物底层的晶片的原子扩散接合产生具有100%透光率的界面和在接合界面处大于2 J/m2的大表面自由能，这对于具有高光子能量的光学应用是有用的。
Atomic diffusion bonding of wafers with oxide underlayers using Hf films produces an interface with 100% light transmittance and large surface free energy at the bonded interface greater than 2 J/m2, which is useful for optical applications with high photon energy.