Y.Saito, T.Yamaguchi, H.Kanazawa, K.Kano, T.Araki, Y.Nanishi 他: "Growth of high-quality InN using low-temperature intermediate layers by RF-MBE"J.Cryst.Growth. 237-239. 1017-1021 (2002)
Y.Saito, T.Yamaguchi, H.Kanazawa, K.Kano, T.Araki, Y.Nanishi 他: "Growth of high-quality InN using low-temperature intermediate layers by RF-MBE"J.Cryst.Growth. 237-239. 1017-1021 (2002)
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Y.Saito、T.Yamaguchi、H.Kanazawa、K.Kano、T.Araki、Y.Nanishi 等人：“通过 RF-MBE 使用低温中间层生长高质量 InN”J.Cryst.Growth 237-239。1017-1021（2002）
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