Formation of thicker silicon wires on a sufficiently cooled substrate during the gas phase zinc reduction reaction of SiCl4
Formation of thicker silicon wires on a sufficiently cooled substrate during the gas phase zinc reduction reaction of SiCl4
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在 SiCl4 的气相锌还原反应过程中，在充分冷却的基材上形成较粗的硅线
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.10.033
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发表时间：
2019
影响因子：
1.8
通讯作者：
Naoki Shirane and Susumu Inasawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水野遊星;中山忠親;末松久幸;鈴木常生;Naoki Shirane and Susumu Inasawa
