An ultra thin buffer layer for Ge epitaxial growth on Si
An ultra thin buffer layer for Ge epitaxial growth on Si
复制标题
用于在 Si 上外延生长 Ge 的超薄缓冲层
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
and K. Hamaya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Kawano;S. Yamada;K. Tanikawa;K. Sawano;M. Miyao;and K. Hamaya
