Nano-oxidation of silicon surfaces:: Comparison of noncontact and contact atomic-force microscopy methods
Nano-oxidation of silicon surfaces:: Comparison of noncontact and contact atomic-force microscopy methods
复制标题
DOI：
10.1063/1.1385582
复制
发表时间：
2001-07-16
影响因子：
4
通讯作者：
García, R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tello, M;García, R
原子力显微镜局部氧化光刻技术正在成为纳米尺度表面图像化的一种强有力的方法。在这里，我们进行了接触和非接触原子力显微镜（AFM）氧化实验的比较研究。高度和宽度对电压和脉冲持续时间的依赖性的比较允许建立非接触AFM作为最佳的局部氧化方法。在相同的电气条件下，非接触式AFM氧化物表现出更高的纵横比（0.04 vs 0.02）。液体半月板的小，在非接触AFM氧化产生较小的氧化物宽度。我们还报告了接触AFM氧化的较慢的氧化速率。我们通过引入一个有效的能垒（类似于0.14 eV）来解释这一结果，该能垒包括生长的氧化物对悬臂梁所做的机械功（类似于0.01 eV）。(C) 2001年美国物理研究所。
Local oxidation lithography by atomic-force microscopy is emerging as a powerful method for nanometer-scale patterning of surfaces. Here, we perform a comparative study of contact and noncontact atomic-force microscopy (AFM) oxidation experiments. The comparison of height and width dependencies on voltage and pulse duration allows establishing noncontact AFM as the optimum local oxidation method. For the same electrical conditions, noncontact AFM oxides exhibit higher aspect ratios (0.04 vs 0.02). The smallness of the liquid meniscus in noncontact AFM oxidation produces smaller oxide widths. We also report a slower oxidation rate in contact AFM oxidation. We explain this result by introducing an effective energy barrier (similar to0.14 eV) that includes the mechanical work done by the growing oxide against the cantilever (similar to0.01 eV). (C) 2001 American Institute of Physics.