Interface carbon defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 interfaces detected by electron spin resonance
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电子自旋共振检测Si面4H-SiC/SiO2界面的界面碳缺陷
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Umeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.-W. Kim;T. Okuda;T. Kimoto;T. Umeda
