低速電子誘起反応と極低温トンネル反応により合成したSiNxの電気特性評価

低速電子誘起反応と極低温トンネル反応により合成したSiNxの電気特性評価
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慢电子诱导反应和低温隧道反应合成SiNx电学性能评价

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
小林 憲明
小林 憲明
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T.Sato;M.Mitsui;J.Yamanaka;K.Nakagawa;Y.Aoki;S.Sato;C.Miyata;小林 憲明

文献摘要

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