Matrix-dependent strain distributions of Au and Ag nanoparticles in metal-oxide-semiconductor based nonvolatile memory device
Matrix-dependent strain distributions of Au and Ag nanoparticles in metal-oxide-semiconductor based nonvolatile memory device
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基于金属氧化物半导体的非易失性存储器件中金和银纳米颗粒的矩阵相关应变分布
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
3.7
通讯作者：
Cailei Yuan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wenyan Wei;Ting Yu;Xingfang Luo;Cailei Yuan
