In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As同一基板上に作製したPHEMTの周波数特性
In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As同一基板上に作製したPHEMTの周波数特性
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在同一 In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As 衬底上制作的 PHEMT 频率特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高梨良文
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山崎陽一;是枝勇太;西尾結;遠藤裕;佐藤宏一;芳沢研哉;田口博久;高梨良文
