A High-Density Subthreshold SRAM with Data-Independent Bitline Leakage and Virtual Ground Replica Scheme
A High-Density Subthreshold SRAM with Data-Independent Bitline Leakage and Virtual Ground Replica Scheme
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具有数据独立位线泄漏和虚拟接地副本方案的高密度亚阈值 SRAM
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. T. Kim;Jason Liu;J. Keane;C. Kim
一个10 T SRAM单元与数据无关的漏电流和一个虚拟接地复制方案允许1k个单元每亚阈值SRAM的漏电流。反向短沟道效应用于改善可写性，提供更高的速度，减少结电容，并减少电路的可变性。一个0.13微米，480kb的SRAM测试芯片显示的最低工作电压为0.20V。
A 10T SRAM cell with data-independent bitline leakage and a virtual-ground replica scheme allows 1k cells per bitline in subthreshold SRAMs. Reverse short-channel effect is used to improve writability, offer higher speed, reduce junction capacitance, and decrease circuit variability. A 0.13mum, the 480kb SRAM test chip shows a minimum operating voltage of 0.20V.