Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD
Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD
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低温超净LPCVD在Si(100)上生长的高Ge分数Si/应变Si_<1-x>Ge_x异质结构空穴谐振隧道二极管的电学特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Seo;et al.
