Y.Ishitani, Y.Arita, N.Yoshida, H.Hasuyama, A.Yoshikawa: "Step flow growth procedure for AlN layer on 6H-SiC substrate by MOVPE"First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors Workshop Procedings. 284-287 (2003)
Y.Ishitani, Y.Arita, N.Yoshida, H.Hasuyama, A.Yoshikawa: "Step flow growth procedure for AlN layer on 6H-SiC substrate by MOVPE"First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors Workshop Procedings. 284-287 (2003)
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Y.Ishitani、Y.Arita、N.Yoshida、H.Hasuyama、A.Yoshikawa：“通过 MOVPE 在 6H-SiC 衬底上进行 AlN 层的步进流生长程序”首届亚太宽禁带半导体研讨会论文集。
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