酸化ガリウム系半導体の薄膜成長
酸化ガリウム系半導体の薄膜成長
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氧化镓半导体薄膜生长
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島孝仁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takayoshi Oshima;Ryo Wakabayashi;Mai Hattori;Akihiro Hashiguchi;Naoto Kawano;Kohei Sasaki;Takekazu Masui;Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi;Kohei Yoshimatsu;Akira Ohtomo;Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu;大島孝仁;大島孝仁
