Broadband 110 - 170 GHz True Time Delay Circuit in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology
Broadband 110 - 170 GHz True Time Delay Circuit in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology
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采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术的宽带 110 - 170 GHz 真实延时电路
DOI：
10.1109/ims30576.2020.9223843
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Malignaggi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Karakuzulu;M. Eissa;D. Kissinger;A. Malignaggi
本文介绍了一种采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成D波段真时间延迟（TTD）电路。在110 ~ 170 GHz范围内，相对时延为0.446 ps ~ 6.64 ps，分辨率为0.446 ps，相当于4位移相器的精度。所提出的真正的时间延迟IC占地2.2 mm x 0.53 mm，从3.3 V汲取6.92 mA的电流。据我们所知，这是第一个真正的时间延迟电路超过100 GHz的硅技术与创纪录的3 dB带宽为60 GHz。
This paper presents a fully integrated D-band true time delay (TTD) circuit designed in 0.13µm silicon-germanium (SiGe) BiCMOS technology. It provides a relative time delay of 0.446 ps to 6.64 ps from 110 to 170 GHz with the resolution of 0.446 ps equivalent to the accuracy of a 4-bit phase shifter. The presented true time delay IC occupies 2.2 mm x 0.53 mm and draws a current of 6.92 mA from 3.3 V. To our knowledge, it is the first true time delay circuit above 100 GHz in silicon technology with a record 3-dB bandwidth of 60 GHz.