UTB-GeOI MOSFETsにおける移動度劣化機構
UTB-GeOI MOSFETsにおける移動度劣化機構
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UTB-GeOI MOSFET 的迁移率退化机制
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鳥海明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李忠賢;西村知紀;田畑俊行;長汐晃輔;喜多浩之;鳥海明
