Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide

Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
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碳化硅氧化过程中 Si 发射到氧化物层中

DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.553
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发表时间:
2014
期刊:
Materials Science Forum
影响因子:
--
通讯作者:
and Hiroyuki Yaguchi
and Hiroyuki Yaguchi
中科院分区:
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文献类型:
--
作者:
Yasuto Hijikata;Yurie Akasaka;Shuhei Yagi;and Hiroyuki Yaguchi

文献摘要

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