Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates
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DOI：
10.1016/s0022-0248(98)00551-x
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发表时间：
1998-11
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. T. Kim;Yong-Tak Lee;D. Moon;C. Hong;T. Yoo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. T. Kim;Yong-Tak Lee;D. Moon;C. Hong;T. Yoo
