SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製
SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製
复制标题
SiC(0001)衬底上高密度、高取向豆荚的制备
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
内藤正路
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
橋本健二;大門秀朗;内藤正路
登录
查看更多内容
在碳纤维上生长的碳纳米胶囊
DOI：
10.1143/jjap.34.1610
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Kusunoki;Y. Ikuhara;Jun
通讯作者：
Jun
激光加热超高温原位透射电子显微镜的发展。
DOI：
10.2320/materia.36.511
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Kusunoki;Tomohiro Saito;Y. Ikuhara
通讯作者：
Y. Ikuhara
镁掺杂γ-氧化铝细粒稳定性的TEM研究
DOI：
10.2320/matertrans1989.39.110
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Kusunoki;Masumi Rokkaku;Y. Ikuhara;H. Yanagida
通讯作者：
H. Yanagida
TEM直接观察800℃碳团簇的生成过程
DOI：
10.1080/15363839708013328
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Kusunoki;Y. Ikuhara;Yoshinori Shibata;J. Kon
通讯作者：
J. Kon
影响因子：
64.8
作者：
IIJIMA, S
通讯作者：
IIJIMA, S