High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors
High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors
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三维金属氧化物半导体晶体管的高深宽比结构形成技术
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Okuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Sunami;S.Matsumura;K.Yoshikawa;K.Okuyama
