VSWR protection of power amplifiers using BST components
VSWR protection of power amplifiers using BST components
复制标题
使用 BST 元件对功率放大器进行 VSWR 保护
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Bengtsson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jérôme Ferretti;S. Preis;W. Heinrich;O. Bengtsson
使用基于 BST 的变容二极管实现输入匹配失谐，从而实现了受 VSWR 保护的 ISM 频段 PA。通过施加高达 20 V 的变容二极管偏置电压，可以承受 30:1 的输出 VSWR 水平。PA 在最大 PAE 为 49.5% 时提供 47.4 dBm 输出功率。在高 VSWR 条件下，可以通过使变容二极管失谐来限制输出功率。结果表明，该概念可以有效地保护晶体管，并且附加电路复杂性非常低。
A VSWR-protected ISM-band PA was realized using a BST based varactor for detuning of the input matching. Output VSWR levels of 30:1 can be tolerated by applying a varactor bias voltage of up to 20 V. The PA delivers 47.4 dBm output power at a maximum PAE of 49.5%. In case of high VSWR conditions the output power can be limited by detuning the varactor. It is shown that the concept protects the transistor efficiently with very low additional circuit complexity.
分立射频功率 MIM BST 厚膜变容二极管
DOI：
10.1109/eumc.2015.7345919
发表时间：
2015
期刊：
2015 European Microwave Conference (EuMC)
影响因子：
--
作者：
S. Preis;A. Wiens;D. Kienemund;D. Kendig;H. Maune;R. Jakoby;W. Heinrich;O. Bengtsson
通讯作者：
O. Bengtsson