Untersuchungen über ternäre Chalkogenide. XXIV. Zur Struktur des TlGaSe2
Untersuchungen über ternäre Chalkogenide. XXIV. Zur Struktur des TlGaSe2
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Untersuchungen über ternäre Chalkogenide XXIV。
DOI：
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发表时间：
1978
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Hahn
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Müller;H. Hahn
TlGaSe2结晶性单胞蛋白α = 10,772(3) a；b = 10771 (5) A；c = 15636 (8)；β = 100,6(3)°；Z = 16；Raumgruppe Cc. Nach der verfeinung . 1366 unhangigen Reflexen ergab . in R- wert von R = 0,082 （MoKα-Strahlung）。Die Verbindung bildet in Schichtengitter mit zwei阴离子schichten parallel (001) in der elemementarzelle。Der Aufbau Der Schichten erfolte Ga4Se10-Tetraeder, die wiederum Aufbau erkenverknupften ga4se10 - tetraedern zusammengesetzt sind。Benachbarte Schichten sind um 90°genegenidander verdret。selden durch Tl1+-Ionen zusammengehalten， die auf Geraden parallel zu den auseren Ga4Se10-Tetraederkanten liegen和mit den Selenatomen in ihrer Umgebung三角棱镜sche TlSe6-Baugruppen ausbilden。42-Schraubachsen verursachen innerhalb der Schichten eine stark ausgepragte伪四边形对称；Schichten的durch - die Packung - der - Schichten的结果是线性下驱动单线gesam对称。[3] [footschiedene] [footschiedstapelung] [footschiedkeiten]。tlgase2 - 1型的结晶性结晶性研究。
TlGaSe2 kristallisiert monoklin mit a = 10,772(3) A; b = 10,771(5) A; c = 15,636(8) A; β = 100,6(3)°; Z = 16; Raumgruppe Cc. Nach der Verfeinerung mit 1366 unabhangigen Reflexen ergab sich ein R-Wert von R = 0,082 (MoKα-Strahlung). Die Verbindung bildet ein Schichtengitter mit zwei Anionenschichten parallel (001) in der Elementarzelle. Der Aufbau der Schichten erfolgt uber eckenverknupfte Ga4Se10-Tetraeder, die wiederum aus vier eckenverknupften GaSe4-Tetraedern zusammengesetzt sind. Benachbarte Schichten sind um 90° gegeneinander verdreht. Sie werden durch Tl1+-Ionen zusammengehalten, die auf Geraden parallel zu den auseren Ga4Se10-Tetraederkanten liegen und mit den Selenatomen in ihrer Umgebung trigonal-prismatische TlSe6-Baugruppen ausbilden. 42-Schraubachsen verursachen innerhalb der Schichten eine stark ausgepragte pseudotetragonale Symmetrie; durch die Packung der Schichten resultiert eine niedrigere monokline Gesamtsymmetrie. Verschiedene Moglichkeiten der Schichtstapelung fuhren zu einer eindimensionalen Fehlordnung in der c*-Richtung. Die Beziehungen des TlGaSe2-Strukturtyps zum TlSe-Typ sowie zu den Hochdruckphasen einiger im TlGaSe2-Typ kristallisierender Verbindungen werden diskutiert.
On Ternary Chalcogenides. XXIV. The Structure of TlGaSe2
TlGaSe2 is monoclinic with a = 10.772(3), b = 10.771(5), c = 15.636(8) A, s = 100.6(3)°, Z = 16, space group Cc. The refinement yielded an R value of 0.082 for 1366 unique observed reflections (MoKα). The compound crystallizes with a layer structure with two anion layers perpendicular to c* in the unit cell. The structural motive of the layers are large corner-linked Ga4Se10- tetraeder consisting of four corner-linked GaSe4 tetrahedra. Two adjacent layers are turned relative to each other by 90°. They are kept together by Tl1+ ions, which are situated on straight lines parallel to the edges of the Ga4Se10 groups. They are surrounded by six selenium atoms forming trigonal-prismatic TlSe6 polyhedra. 42 screw-axes within the layers are the reason for a strongly pronounced pseudo tetragonal symmetry. Different possibilities of stacking cause a onedimensional disorder along the c* direction. The relations between the TlGaSe2 type and the TlSe type and also the high-pressure modifications of some compounds with the TlGaSe2 structure are discussed.