Hydrogen interaction with Pd/SiO2/Si rectifying junction
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DOI：
10.1016/j.mseb.2010.07.032
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发表时间：
2010-12
影响因子：
3.6
通讯作者：
Ming Zhao;S. Nagata;S. Yamamoto;M. Yoshikawa;T. Shikama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ming Zhao;S. Nagata;S. Yamamoto;M. Yoshikawa;T. Shikama
