S.Suzuki, Y.G.Xie, T.Sawada and H.Hasegawa: ""Application of Silicon Interface Control Layr Technique to Fabrication of InGaAs Metal-Insulator-Semiconductor FETs"" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, November 8-12,
S.Suzuki, Y.G.Xie, T.Sawada and H.Hasegawa: ""Application of Silicon Interface Control Layr Technique to Fabrication of InGaAs Metal-Insulator-Semiconductor FETs"" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, November 8-12,
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S.Suzuki、Y.G.Xie、T.Sawada 和 H.Hasekawa：“硅界面控制层技术在 InGaAs 金属-绝缘体-半导体 FET 制造中的应用”Proc.of 1st Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa)
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