Tetuo Endoh: "A quantitative analysis of stress-induced leakage currents and extraction of trap properties in 6.8nm ultrathin silicon dioxide films"JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 86 No.4. 2095-2099 (1999)
Tetuo Endoh: "A quantitative analysis of stress-induced leakage currents and extraction of trap properties in 6.8nm ultrathin silicon dioxide films"JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 86 No.4. 2095-2099 (1999)
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Tetuo Endoh：“6.8nm 超薄二氧化硅薄膜中应力引起的漏电流的定量分析和陷阱特性的提取”应用物理学杂志。
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