Selective-Area Chemical Beam Epitaxy of In-Plane InAs One-Dimensional Channels Grown on InP(001) and InP(111)B Surfaces
Selective-Area Chemical Beam Epitaxy of In-Plane InAs One-Dimensional Channels Grown on InP(001) and InP(111)B Surfaces
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InP(001) 和 InP(111)B 表面上生长的 InAs 一维通道的选择性区域化学束外延
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Palmstrøm
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Joon Sue Lee;Sukgeun Choi;M. Pendharkar;D. Pennachio;B. Markman;M. Rodwell;P. Krogstrup;C. Palmstrøm
