EB照射後の絶縁体試料表面電位のワーキングディスタンスと印加バイアス依存性
EB照射後の絶縁体試料表面電位のワーキングディスタンスと印加バイアス依存性
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EB 照射后绝缘体样品表面电势的工作距离和施加偏压依赖性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
東海昌司，河本拓也，小寺正敏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kanai;R. Itagaki;S. Greaves;and H. Muraoka;東海昌司，河本拓也，小寺正敏
